Захват - дырка
Cтраница 2
При низких концентрациях FM имеется избыток дырок; захват дырок на уровнях VM приводит к переходу большей части этих центров в нейтральные VM. Количество остающихся заряженных вакансий равно числу Рм-центров. По мере введения дополнительных количеств атомов примеси концентрация FM сначала приближается к концентрации VM и затем превосходит ее. [16]
Здесь Ср - произведение концентрации ловушек на вероятность захвата дырки в единицу времени, усредненное по всем состояниям в валентной зоне; Сп - произведение концентрации ловушек на вероятность захвата электрона, усредненное по всем состояниям в зоне проводимости; п0 и р0 - равновесные концентрации электронов и дырок в данном образце; nl и рг - те же величины для случая, когда уровень Ферми совпадает с уровнем энергии центров рекомбинации. Объемное время жизни у большинства образцов германия в области примесной проводимости экспоненциально возрастает с увеличением температуры. Считается, что эта зависимость обусловлена экспоненциальным изменением концентрации носителей в числителе выражения ( 1), в то время как знаменатель в примесной области является постоянной величиной. Пример такого поведения описан Холлом [1]; то же видно и на фиг. [17]
На поверхности отрицательный заряд ионов нейтрализуется за счет захвата дырок. Нейтральный комплекс ( C2O4) S распадается на две молекулы углекислого газа. [18]
Последняя, в свою очередь, зависит от сечений захвата дырки и электрона. [19]
 |
График тока через эмиттер при подаче зондирующих импульсов. [20] |
Для доказательства правильности высказанного предположения было произведено определение времени захвата дырок поверхностью после наполнения базы дырками и длительного пропускания через эмиттер тока. [21]
 |
Спектральная зависимость наведенной оптической плотности AD стекол № 2 ( сплошная кривая и № 2 ( прерывистая для доз облучения 104 ( 1, 108 ( 2, и 10е р ( 3. [22] |
Предполагается, что в облученных стеклах протекает два процесса: захват дырок дефектами структуры, присутствующими в необлученном стекле, и захват дырок дефектами аналогичного типа, образовавшимися под воздействием излучения. [23]
Каждая примесь имеет определенную вероятность захвата электрона и другую вероятность захвата дырки. [24]
В нем Nt - плотность центров рекомбинации; Ср - сечения захвата дырок; Мл - концентрация донорной примеси в кристалле; Е - энергетический уровень середины запрещенной зоны; щ - собственная концентрация; Ф - со при ф 0 и Ф кро - Ф1 при ф80, фо1п ( Ср / Сп), где Сп - сечение захвата электронов. [25]
Поскольку чистая поверхность антрацена в контакте с вакуумом не должна создавать центров захвата дырок или электронов, а также центров тушения экситонов ( см. разд. Прежде чем перейти к обсуждению работы [22], следует отметить, что чистая непокрытая поверхность антрацена действительно не должна содержать центров захвата из-за уменьшения энергии поляризации. Однако ситуация меняется, если на поверхность кристалла напылена тонкая металлическая пленка. В этом случае поверхностный слой может захватывать носители, поскольку металлическая пленка создает область с высокой поляризуемостью. Более того, орбитали атомов металла могут взаимодействовать с уровнями проводимости диэлектрика и вызывать значительное расщепление уровней над и под уровнями проводимости, от которых ведется отсчет энергии. Модель такого процесса показана на рис. 2.4.18. Так как зоны диэлектрика на поверхности, контактирующей с металлом, уширены, то в первом приближении можно рассматривать электрон на поверхности как свободный. [27]
 |
Спектры люминесценции кристаллов карбида кремния, легированных различными примесями - активаторами люминесценции при 7 300 К.| Энергия главных фононов, мэВ, для политипов карбида кремния. [28] |
Температурный ход фотопроводимости в n - SiC политипа 6 / / определяется захватом дырок на уровень WB 0 2 эВ и залипанием неравновесных электронов на энергетических уровнях ионизированных центров азота. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5