Захват - носитель - заряд
Cтраница 1
Захват носителей заряда является доминирующим фактором, определяющим подвижность носителя в кристалле и тем самым предельную величину проводимости. Однако даже в отсутствие примесей и дефектов в кристалле захват носителя в принципе возможен также в результате локального искажения решетки, вызванного самим носителем. Таким образом, перенос заряда зависит не только от наличия дефектов, но и от взаимодействия избыточного носителя с фононами решетки. В чистом кристалле можно обнаружить два резко выраженных предельных типа поведения избыточного заряда, зависящих от пространственной локализации этого заряда вследствие взаимодействия его с фононами. Локализованный заряд имеет значительно более низкую подвижность, для появления которой требуется энергия активации. В случаях когда подвижность равна - 1 см В с, возникает ситуация, при которой совокупность относительно малых воздействий может перевести носитель из делокализо-ванного в локализованное состояние. [1]
 |
Электрическая схема для измерения тока, наведенного электронным или световым пучком ( в, и схема взаимного расположения образца и пучка, возбуждающего носители заряда ( б. [2] |
Захват носителей заряда ловушками почти не сказывается на результатах измерений, однако в тонких образцах может оказаться существенным влияние поверхностной рекомбинации. [3]
 |
Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбинацион-ных ловушек с зонами энергии. [4] |
Захват носителей заряда не влияет на стационарное время жизни, но оказывает влияние на мгновенное время жизни. Освобождение захваченного носителя заряда может быть вызвано тепловым перебросом. [5]
 |
Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбичационных ловушек с зонами энергии. [6] |
Захват носителей заряда не влияет на стационарное время жизни, но оказывает влияние на мгновенное - время жизни. Освобождение захваченного носителя заряда может быть вызвано тепловым перебросом. [7]
Если произошел захват носителя заряда нейтральным дефектом, то последующий захват носителя заряда должен быть более вероятным в силу кулоновского притяжения между заряженной ре-комбинационной ловушкой и носителем заряда другого знака. [8]
Если произошел захват носителя заряда нейтральным дефектом, то последующий захват носителя заряда должен быть более вероятным в силу кулоновского притяжения между заряженной рекомби-национной ловушкой и носителем заряда другого знака. [9]
Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей заряда порядка микросекунд. Они локализованы в основном на самой границе кристалла. [10]
 |
Зависимость изгиба зон от величины напряжения, приложенного к структуре.| Изменение поверхностной электропроводности с течением времени от момента подачи внешнего напряжения. [11] |
Уменьшение поверхностной электропроводности объясняется захватом носителей заряда поверхностными уровнями. Две разных по скорости изменения поверхностной электропроводности стадии указывают на то, что на поверхности имеются две различные системы поверхностных состояний. Одна система уровней характеризуется временем захвата носителей порядка 10 - 8 с, эти уровни называют быстрыми поверхностными состояниями. Другая система уровней имеет время захвата носителей заряда более 10 - 3 с, эти уровни называют медленными поверхностными состояниями. Большое различие во временах захвата носителей обусловлено различием в местоположении быстрых и медленных состояний. Рассматривая строение реальной поверхности полупроводников, мы отмечали, что поверхностные уровни имеются на поверхности полупроводников и оксидов. [12]
В этом случае в захвате первого носителя заряда принимают участие быстрые состояния. Высокие значения сечений захвата этих состояний связаны с низкой полиризуемостью дефектов, составляющих их основу, а следовательно, и с малой перестройкой окружения центра в акте захвата. Кроме того, рекомбинационные центры находятся в хорошем контакте с фононной подсистемой кремния. [13]
Поскольку явления, связанные с захватом носителей заряда, могут быть обусловлены как электронными, так и дырочными ловушками, то часто возникает необходимость выяснить, к какому из этих двух типов принадлежат изучаемые ловушки. Для решения этого вопроса привлекаются электрические методы исследования. На кривой зависимости эмиссионного тока от температуры возникают пики, подобные пикам термовысвечивания. Разница, однако, в том, что пики термоэлектронной эмиссии могут быть обусловлены только электронными, но не дырочными ловушками. Поэтому, сопоставляя кривую термовысвечивания с кривой термоэмиссии, можно определить, носители какого заряда захватываются ловушками или, как принято говорить, каков знак наблюдаемого процесса. Они показывают, что все пики термовысвечивания NaCl-Ag - фосфора обусловлены электронными ловушками. [14]
 |
ВАХ токов, ограниченных объемным зарядом. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5