Захват - носитель - заряд
Cтраница 4
Заряд q может быть только отрицательным, ибо при q 1 кластеры не уменьшают, а при q 1 даже должны увеличивать п сверх введенной концентрации примесей JV, что невозможно. Комплексообра-зование оказывает заметное влияние на процессы рассеяния и захвата носителей заряда, оптич. [46]
Часто наблюдается первоначальный быстрый спад зарядов ( не связанный с поляризационной составляющей) со временем релаксации до 103 - 104 с. Предполагают, что эта компонента заряда связана с захватом носителей зарядов в мелких поверхностных ловушках и релаксацией заряда за счет поверхностной проводимости. Эта компонента заряда более значительна при заряжении в коронном разряде или при трении. Токи термостимулированной деполяризации таких электретов при наличии воздушного зазора между электродом и заряженной поверхностью обнаруживают максимум тока при 40 - 45 С, соответствующий обычно заряду отрицательного знака. При дальнейшем анализе процесса релаксации зарядов эта быстроспадающая компонента обычно не учитывается как малозначительная. [47]
В отличие от идеализированных механизмов передачи зарядовых пакетов вдоль структуры в реальных условиях заряд пакета по мере передачи его вдоль структуры изменяется. Одна из основных причин этого явления состоит в захвате носителей заряда поверхностными энергетическими уровнями. [48]
 |
Частотная зависимость коэффициента потерь ПЗС. [49] |
Подъем коэффициента потерь при высоких частотах связан с неполным переносом заряда из одной потенциальной ямы в другую из-за быстрого изменения тактовых импульсов на затворах. Конечное значение коэффициента потерь в диапазоне средних частот определяется эффектом захвата носителей заряда ловушками захвата. [50]
Вследствие этого при определении V следует учитывать кинетику рекомбинации. Согласно одной из моделей [ Card, Yang, 1977 ] захват носителей заряда при освещении увеличивает скорость поверхностной рекомбинации на межзеренной границе, что приводит, как правило, к значительному снижению высоты потенциального барьера. Например, в материале проводимости л-типа при заполнении ловушек на границе зерна они заряжаются отрицательно. [51]
Метод ЭПР применяется для исследования кристаллофосфоров как в невозбужденном состоянии, так и после их возбуждения. При этом можно установить происходит ли в процессе возбуждения ионизация центров и захват носителей заряда. Например, парамагнитный резонанс ZnS-Mn - фосфора, обусловленный ионом Мп2, который имеет недостроенную За. [52]
Небольшие дрейфовые подвижности и их активационный рост с повышением температуры, наблюдаемые в ряде случаев, объясняются присутствием в образцах уровней прилипания и многократным захватом носителей заряда при движении через образец. Однако имеются экспериментальные данные, которые не укладываются в представления зонной модели. [53]
Однако при помещении образца в обычную атмосферу начинается рост плотности медленных состояний, причем тем быстрее, чем выше влажность окружающей среды. Предполагают, что медленные состояния могут находиться как внутри окисла, так и на его поверхности. Разные значения времени захвата носителей заряда этими состояниями связаны с различной толщиной оксидной пленки. [54]
Эксперименты показали [126], что релаксация инжектированного заряда ( р-максимум на термограммах ЭТА) наблюдается в частично кристаллических полимерах, таких как ПЭТФ, ПВДФ и ПХТФЭ, в областях ас-релаксации. Глубина ловушек определяется молекулярной подвижностью, связанной с движением петель и концевых групп макромолекул на поверхности граней и ребер кристаллитов [ 123, с. Одним, возможно основным, из процессов захвата носителей зарядов при образовании гомозаряда в частично кристаллических полимерах является захват электронов на границах раздела фаз ( аморфной и кристаллической) вблизи поверхности полимера. Затормаживаясь на границе раздела из-за разной плотности ( и проводимости) фаз, электрон поляризует близлежащие полярные группы, причем ориентация диполей сопровождается изменением конформации участков цепей. Таким образом, электрон создает ловушку, в которой он может находиться длительное время, например, пока полимер не нагреют до температуры, при которой начинается интенсивное молекулярное движение на поверхности кристаллитов, при этом и происходит релаксация инжектированного ( гомо) заряда. Кто является носителем заряда - электрон или ион, остается пока неясным. [55]
Фотопроводимость кристаллофосфоров класса AnBVI, как и их люминесценция, сильно зависит от наличия примесей, причем, как оказалось, примеси Си и Ag, вызывающие образование центров свечения, одновременно играют роль очувствляющих примесей, увеличивающих чувствительность фотосопротивлений на основе соединений AnBVI к свету и рентгеновскому излучению. Поэтому время жизни электронов в зоне проводимости при наличии этих центров увеличивается, что и вызывает рост фотопроводимости. Вообще центрами рекомбинации называются дефекты, на которых после захвата носителя заряда рекомбинация более вероятна, чем тепловое освобождение носителя. В случае центров захвата, которые называют также центрами прилипания, имеет место обратное. Очевидно, что при понижении температуры центр захвата может превратиться в центр рекомбинации. [56]
Быстрые участвуют в процессах рекомбинации и захвата. При комнатной температуре более длительным оказывается процесс рекомбинации, поэтому постоянные времени процесса оказываются близкими к эффективному времени жизни избыточных носителей заряда. Однако при пониженных температурах, а также при очень высоких положительных и отрицательных значениях поверхностного потенциала преобладает процесс захвата носителей заряда быстрыми поверхностными состояниями. Длительность этого процесса и определяет время установления поверхностной электропроводности. [57]
 |
Зонная диаграмма полупроводника с ловушками захвата и рекомбинации. [58] |
Ловушка рекомбинации захватывает электрон из зоны проводимости, а затем электрон с уровня рекомбинации переходит в валентную зону, что эквивалентно переходу дырки на ловушку рекомбинации. Процесс захвата носителей характеризуется тремя параметрами: концентрацией ловушек захвата, их энергетическим положением в запрещенной зоне и эффективным сечением захвата носителей заряда. [59]
В запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника может существовать некоторое распределение локальных уровней ловушек, связанное с наличием различных примесей и Дефектов, особенно в поликристаллических полупроводниках, из которых изготавливают большинство фоторезисторов. Часть из этих уровней может быть уровнями ловушек захвата, часть - уровнями рекомбинационных ловушек. Чтобы установить количественный критерий для отличия этих уровней, введены понятия демаркационных уровней, для которых вероятность ионизации равна вероятности захвата носителя заряда противоположного знака. В некоторых случаях при качественном рассмотрении различных зависимостей параметров фоторезисторов можно считать демаркационные уровни совпадающими с квазиуровнями Ферми, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесных условиях, что и уровень Ферми в условиях равновесия. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5