Захват - носитель - заряд
Cтраница 3
Построенная в этих предположениях теория рекомбинации отличается от обычной [15] только расшифровкой понятий эффективных сечепий захвата носителей заряда центром рекомбинаций. Однако в тех случаях, когда времена жизни носителей заряда на возбужденных уровнях центра не пренебрежимо малы по сравнению со средними временами теплового выброса или захвата центром носителя заряда противоположного типа, эта расшифровка соответствует появлению дополнительных членов в соотноше-вии для скорости рекомбинации. [31]
 |
Схема для получения электретов в коронном разряде. [32] |
Если заряжение проводить при низкой температуре Гп, поверхностный заряд, как полагают, связан с захватом носителей заряда в мелких ловушках, и стабильная компонента невелика. Заряжение при Т выше 100 С приводит к преимущественному захвату носителей в глубоких ловушках, к большей стабильности электретов и к большему значению устойчивого заряда. Повышение времени заряжения tn также повышает захват в глубоких ловушках. [33]
Как указал Вильсон [156], глубокое различие между строго одномерными и квазиодномерными системами ясно проявляется в зависимости времени захвата носителей заряда ловушками от напряженности внешнего электрического поля. В случае трехмерных систем время, необходимое для захвата электрона ловушкой, равно т ( yNt) - l ( ovjNt) - l, где у - константа бимолекулярной скорости захвата электрона ловушкой, равная произведению эффективного сечения захвата а на величину средней тепловой скорости электрона VT; Nt - объемная плотность ловушек. Приведенное выражение для времени захвата имеет силу до тех пор, пока величина скорости дрейфа электрона во внешнем электрическом поле VF меньше величины vт Поскольку значение тепловой скорости по порядку величины составляет 106см - с-1, то, для того чтобы сделать значения VF сравнимыми со значениями VT при / л 1 см2В - с-1, понадобилось бы внешнее поле напряженностью около 106В - см-1. Таким образом, для электрических полей, напряженность которых меньше величины порядка 106 В-см 1, время захвата электронов ловушками должно быть постоянной величиной. В одномерных системах складывается совершенно другая ситуация. Если расстояние между ловушками, расположенными в одной стопке, равно /, то время, которое необходимо частице, чтобы продиффундировать между соседними ловушками, равно тт 12 / D. [34]
Чтобы установить количественный критерий отличия этих энергетических уровней, введены понятия демаркационных уровней, для которых вероятность ионизации с образованием носителя одного знака равна вероятности захвата носителя заряда противоположного знака. [35]
 |
Содержание дислокаций в органических кристаллах, выращенных различными способами. [36] |
Самой важной характеристикой дефектов является то, что они изменяют первоначальные энергетические уровни своего окружения, создавая зачастую доступные вакантные состояния внутри энергетической щели Eg, которые обусловливают сильную локализацию или захват носителей заряда. В кристаллах полициклических ароматических углеводородов ловушки обычно нейтральны, поэтому заполненная ловушка становится заряженной. Энергия, необходимая для возвращения носителей на соответствующий уровень проводимости, называется глубиной ловушки. Дефекты могут также действовать как центры рассеяния, даже если они и не захватывают носители. [37]
Таким образом, молекулярная химическая адсорбция создает медленные ПС. Захват носителей заряда на такие состояния сопровождается сильной деформацией связей в молекулах. [38]
Подробный анализ энергетики актов захвата носителей заряда на поверхностные состояния показал [240], что колебательная модель дефектообразования может быть с успехом применена к поверхностным фазам при учете двух специфических особенностей этих фаз. Во-первых, прочность части химических связей из-за неупорядоченности поверхности ослаблена по сравнению с объемом кристалла. Качественные оценки, проведенные по формуле (5.8) в [241], показывают, что благодаря ослаблению связей в аморфизо-ванной поверхностной фазе пороговая температура дефектообразования для поверхности кремния может приблизиться к комнатной. Во-вторых, при захвате носителя заряда на поверхностную глубокую ловушку возникает дополнительный к объему кристалла канал диссипации выделившейся энергии - возбуждение мод колебаний поверхностных химических группировок, неизменно присутствующих на границе раздела полупроводник - оксид. [39]
В диапазоне рабочих частот, далеких от предельных, в ПЗС тоже не происходит полной передачи информационного заряда из одной потенциальной ямы в другую. Связано это с явлениями захвата носителей заряда поверхностными энергетическими уровнями ловушек захвата. Во-вторых, захваченные ловушками захвата и освободившиеся через некоторое время носители заряда могут попасть в пустые потенциальные ямы, исказив тем самым уровень логического нуля. Для уменьшения влияния этого эффекта необходимо обеспечить плотность поберхностных состояний примерно на два порядка меньшую, чем допускается при производстве МДП-транзисторов. [40]
В диапазоне рабочих частот, далеких от предельных, в ПЗС тоже не происходит полной передачи информационного заряда из одной потенциальной ямы в другую. Связано это с явлениями захвата носителей заряда поверхностными энергетическими уровнями ловушек захвата. Во-вторых, захваченные ловушками захвата и освободившиеся через некоторое время носители заряда могут попасть в пустые потенциальные ямы, исказив тем самым уровень логического нуля. Для уменьшения влияния этого эффекта необходимо обеспечить плотность поверхностных состояний примерно на два порядка меньшую, чем допускается при производстве МДП-транзисторов. [41]
 |
Изменение емкости структуры во времени после подачи обратного - напряжения. [42] |
Данный метод основан на охранении емкости структуры постоянной за счет изменения обратного напряжения, приложенного к структуре. По мере того как происходит испускание или захват носителей заряда глубокими уровнями, соответствующее этим процессам изменение емкости компенсируется изменением напряжения с помощью обратной связи в измерительном устройстве. Так как требуемое для этого напряжение 4t / AQ / C, то можно определить изменение объемного заряда AQ. В этом случае интерпретация экспериментов упрощается, особенно когда концентрация глубоких уровней сравнима с концентрацией легирующей примеси. Пусть в полупроводнике с концентрацией доноров Nd глубокие ловушки с концентрацией Nr а энергией Ег представляют собой акцепторы. [43]
Однако следует отдавать себе отчет в довольно низкой воспроизводимости значений энергий активации для плохо определенных поликристаллических образцов. В литературе многократно подчеркивалась существенная роль инжектирования и захвата носителей заряда в проводимости слабо проводящих веществ, а также описано наблюдавшееся значительное влияние степени кристалличности образцов на значения а и еа. Таким образом, в выборе определенных значений Е Л имеется некоторый произвол, и взаимосвязь между е л и hvKU3 может быть совершенно случайной. Более того, неясно, бимолекулярный или мономолекулярный процесс представляет собой рекомбинация носителей заряда. [44]
 |
Зависимость концентрации носителей п, от концентрации примесей N в случае образовании нейтральных ( 1 в заряженных ( 2 примесно - дефектных комплексов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5