Изгиб - зона
Cтраница 1
Изгиб зон характеризуется разностью потенциалов между граничным слоем и объемом твердого тела ( аналогично поверхностному потенциалу у металлов), из-за различия концентраций электронов ( и дырок) у поверхности и в объеме. [1]
Изгиб зон и разложение данных полупроводниковых соединений III-V групп в первом приближении, вероятно, не зависят от вида адсорбированных атомов. Следствием этого является отсутствие зависимости Фь ( в определенных пределах) от степени чистоты и совершенства любых, но почти идеально совершенных сверхчистых поверхностей. Этот вывод подтверждается опубликованными в литературе данными по высоте барьера. [2]
Изгиб зон у поверхности происходит потому, что в состоянии равновесия положение уровня Ферми Ер не должно изменяться от объемных слоев до поверхности: следовательно, края зон должны измениться таким образом, чтобы быть совместимыми с закреплением уровня Ер у поверхности и объемным значением Ер вдали от поверхности. [4]
 |
Вольтамперные характеристики контакта полупроводника с металлом, рассчитанные по диодной ( а и диффузионной ( б теориям. [5] |
Каков изгиб зон у поверхности полупроводника, если проводимости на поверхности и в глубине отличаются в 10 раз. [6]
Если изгиб зон мал, то основными в полупроводнике носителями являются электроны. Их движение в приповерхностном слое ограничено с одной стороны поверхностью, ударяясь о которую они теряют часть скорости. Если изгиб зон велик, то появляется инверсный слой. В этом случае основными носителями будут дырки, находящиеся в потенциальной яме. [7]
 |
Зависимость изгиба зон от величины напряжения, приложенного к структуре.| Изменение поверхностной электропроводности с течением времени от момента подачи внешнего напряжения. [8] |
Величина изгиба зон при напряжении, равном нулю, определяет начальный изгиб зон. [9]
Вследствие изгиба зон электроны в GaAs оказываются запертыми потенциалом с приблизительно треугольной формой в области вблизи границы раздела ( концентрирование электронов), образуя двумерный ( 2D) электронный газ. Такие 2О - электроны физически отделены от ионизованных примесей в AlGaAs, и поэтому они слабо рассеиваются заряженными примесями. Если удается избежать рассеяния на дефектах границы раздела, то подвижность 2D электронного газа в образцах с модулированным легированием может достигать теоретического предела, определяемого рассеянием на фононах в отсутствии примесного рассеяния. На рис. 5.11 показана температурная зависимость подвижности 2D электронного газа в гетеропереходе GaAs / Alo Gao As. [11]
При изгибе зон вверх ( вниз) в полупроводнике р-типа ( re - типа) концентрация основных носителей заряда - дырок ( электронов) вблизи поверхности увеличивается, образуется обогащенный дырками ( электронами) слой. При изгибе зон вниз ( вверх) в полупроводнике / г-типа ( п-тн-па) происходит уменьшение концентрации основных носителей заряда - образование обедненного слоя. В последнем случае, если изгиб зон достаточно велик ( как правило, больше Ее / 2), вблизи поверхности возникает слон, концентрация электронов ( дырок) в котором может стать заметной. Слой вблизи поверхности, проводимость которого сравнима с проводимостью в объеме полупроводника или превосходит ее и создается электронами ( дырками) в полупроводниках р-типа ( - типа), называется инверсионным. [12]
Пр И отрицательном изгибе зон ( рис. 9.5 а) проводимость продолжает уменьшаться до тех лор, пока не образуется инверсионный слой. [13]
В реальном случае изгиб зон в полупроводнике при отсутствии смещения может определяться не только кислородными вакансиями в окисле, но и положительными ионами примеси в нем. [14]
В реальном случае изгиб зон в полупроводнике при отсутствии смещения может определяться не только кислородными вакансиями в окисле, но и положительными ионами примеси в нем. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5