Изгиб - зона
Cтраница 3
 |
Теплоты адсорбции СО иг поликристэллических переходных металлах. [31] |
В физике это явление называется изгибом зон. [32]
 |
Поверхностная проводимость проводника. [33] |
Величина У, гцри У0 определяет начальный изгиб зон. [34]
Однако при сильном легировании полупроводников ширина области изгиба зон может быть сделана меньше длины свободного пробега горячих электронов, что резко уменьшает эффекты рассеяния в области изгиба зон. [35]
Характерные поверхностные свойства ковалентных полупроводников, в частности изгиб зон, устанавливаются при наличии покрытия, состоящего из атомов металла или кислорода, толщиной менее 0 1 монослоя и слабо изменяются при увеличении его толщины. [36]
Для большинства поликристаллов откачка, связанная с уменьшением изгиба зон, ведет к увеличению средней яркости электролюминесценции. Возможность подобного изменения яркости становится понятной, если более детально рассмотреть процесс возбуждения электролюминесценции. Интенсивность последней при ударном механизме возбуждения пропорциональна числу электронов п, входящих в область барьера, и вероятности ионизации w, которая зависит от напряженности поля в барьере. Напряженность поля связана с высотой барьера и при его уменьшении падает, однако в то же время увеличивается число вводимых ( из соседних кристаллов, электродов или с поверхностных уровней) электронов. Произведение противоположно изменяющихся величин п и w может увеличиваться, уменьшаться или проходить через экстремум Б зависимости от их первоначальных значений и быстроты изменения. [37]
Для большинства поликристаллов откачка, связанная с уменьшением изгиба зон, ведет к увеличению средней яркости электролюминесценции. Возможность подобного изменения яркости становится понятной, если более детально рассмотреть процесс возбуждения электролюминесценции. Интенсивность последней при ударном механизме возбуждения пропорциональна числу электронов п, входящих в область барьера, и вероятности ионизации w, которая зависит от напряженности поля в барьере. Напряженность поля связана с высотой барьера и при его уменьшении падает, однако в то же время увеличивается число вводимых ( из соседних кристаллов, электродов или с поверхностных уровней) электронов. Произведение противоположно изменяющихся величин п и w может увеличиваться, уменьшаться или проходить через экстремум в зависимости от их первоначальных значений и быстроты изменения. [38]
 |
Изменение относи, льной. [39] |
В связи с этим очевидно, что изменение поверхностного изгиба зон ведет к изменению числа незаряженных акцепторов на поверхности и в приповерхностной области. Последнее должно привести к изменению интенсивности люминесценции. [40]
Видно, что эффективная масса должна увеличиться вдвое благодаря изгибу зон. В результате этого изменение поверхностного потенциала не обязательно должно быть таким же резким, как при отсутствии непараболичности. [41]
Величина изгиба зон при напряжении, равном нулю, определяет начальный изгиб зон. [42]
 |
Теоретические ( линии и экспериментальные ( точки зависимости. [43] |
Из рисунка видно, что в области умеренных и больших истощающих изгибов зон наблюдается удовлетворительное согласие теоретических и экспериментальных данных. Это означает, что в указанных областях поверхностного потенциала основные закономерности ВЧ ФЕ хорошо описываются в приближении Шоттки. [44]
На рис. 8.32 показана зависимость поверхностной проводимости - полупроводника от изгиба зон Ys - - rps / kT, обусловленного зарядом на поверхности. При нулевом изгибе зон коцентрация электронов в поверхностном слое равна концентрации в объеме и поверхностная проводимость практически не отличается от объемной. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5