Изгиб - зона
Cтраница 4
 |
Электронные уровни для разного типа полупроводников, находящихся в равновесии с растворами редокс-систем. [46] |
Первое слагаемое в (1.61) отражает объемные свойства электрода, второе - изгиб зон на границе электрод-раствор. [47]
 |
Зависимость изменения ра - [ IMAGE ] Изменение энергии активации. [48] |
Левую часть кривой авторы [60] объясняют прочной необратимой адсорбцией, вызывающей изгиб зон Де, правую часть - слабой обратимой адсорбцией, приводящей к поляризации адсорбированных молекул fi, компенсирующей Де. Суммарное изменение Дф в этом случае составляет всего 110 мв, что соответствует 2 5 ккаль / моль. [49]
При контакте сверхпроводника с вырбжденным полупроводником р-типа проводимости в полупроводнике возникает изгиб зон. При соответствующем подборе разности работ выхода при низких температурах можно обеспечить условия, когда взаимный туннельный переход электронов при малых смещениях невозможен. Уровень Ферми в сверхполупроводнике расположен в середине энергетической щели. В полупроводнике же все состояния ниже уровня Ферми заняты электронами, так как он вырожден. Вольт-амперная характеристика в этой области смещений оказывается существенно нелинейной. Такие структуры могут быть использованы для детектирования и усиления в СВЧ диапазоне. [50]
Хотя, по определению, нейтральным называется контакт, вблизи которого отсутствует изгиб зон, ясно, что наличие небольшого изгиба в запирающем направлении не мешает контакту в более ограниченной области налряженностей поля действовать подобно нейтральному. [51]
 |
Экспериментальная ( ООО и теоретическая ( - зависимости поверхностной фото - ЭДС в Ge от изгиба зон. [52] |
На рис; 2.19 изображена зависимость конденсаторной-фото - ЭДС в германии от изгиба зон. В области больших инверсионных и обогащенных изгибов зон теоретические и экспериментальные кривые совпадают. Имеется также область расхождения этих кривых. [53]
Кривая Дап ( У) проходит через минимум, так как при положительном изгибе зон ( рис. 9.5 s) у свободной поверхности полупроводника га-типа скапливается большое число - избыточных электронов ( основных носителей), обеспечивающих повышенную проводимость приповерхностного слоя. С уменьшением положительного извне зависимости изменения по - fба зон Y концентрация из-верхностной проводимости от быточных электронов уменьшается, вызывая уменьшение электропроводности слоя. [54]
Этот результат справедлив для случая полного диффузного рассеяния на поверхности в отсутствие на ней изгиба зон. Влияние поверхностного рассеяния на подвижность снижается, если часть носителей заряда зеркально отражается от поверхности. Обедненный слой в околоповерхностной области ( при наличии, например, соответствующих поверхностных состояний) препятствует движению носителей к поверхности и тем самым значительно снижает рассеяние на ней. Напротив, обедненный слой притягивает неосновные носители на поверхность. [55]
Высота потенциального барьера для электронов, переходящих из полупроводника в металл, qUj определяется изгибом зон в полупроводнике ( рис. 1.7, г), где Uj носит название контактной разности потенциалов. [56]
Для данного Es квантовое расширение уменьшает dE / dz s ниже его классического значения и увеличивает изгиб зон на поверхности As [ ср. Es становится меньшим его классического значения. Следовательно, с возрастанием электростатического притяжения, определяемого величиной Д8ы, поверхностная подвижность ц8 должна уменьшаться слабее [79], чем предсказывает классическая теория. [57]
При написании (6.56) было использовано соотношение (6.35), определяющее связь между AFsi и Ар в области инверсионных изгибов зон, а также квазибольцмановское приближение для распределения неравновесных носителей в ОПЗ. [58]
Один из способов снижения систематической погрешности состоит в создании на поверхности эпитаксиальной структуры таких условий, при которых изгиб зон незначителен. [59]
 |
ID - - характеристики для различных распределений плотности состояний и зпрещсиной зоне. Обозначения I - 4 те же, что на. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5