Изгиб - зона
Cтраница 2
 |
Образование приповерхностного слоя объемного заряда под влиянием заряженной поверхности полупроводника п - и р-типа. [16] |
Вызванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике / г-типа и до вершины валентной зоны в полупроводнике р-типа. [17]
 |
Образование приповерхностного слоя объемного заряда под влиянием заряженной поверхности в полупроводниках п - и р-типа. [18] |
Вызванный таким зарядом изгиб зон приводит к увеличению расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике и-типали до вершины валентной зоны в полупроводнике р-типа. [19]
 |
Теоретическая кривая зависимости поверхностной проводимости полупроводника n - типа от изгиба зон. [20] |
Поэтому с увеличением изгиба зон поверхностная проводимость увеличивается. [21]
 |
Диаграммы энергетических зон, показывающие изгиб зон на границе раздела изолятор - электрод. [22] |
Подробное обсуждение явления изгиба зоны для этого случая проведено Симмонсом в гл. [23]
 |
Прямой и обратный ток контролируемого полем кремниевого диода с п - р-переходом в зависимости от напряжения на полевом электроде V. [24] |
По мере увеличения истощающих изгибов зон под полевым электродом ( рис. 5.13, б) генерационный ток увеличивается вследствие возрастания как объемной, так и поверхностной генерационных составляющих. [25]
Вызванный зарядом на поверхности изгиб зон приводит к увеличению расстояния от уровня Ферми до дна зоны проводимости в полупроводнике п-типа и до потолка вален-тнбй. [26]
 |
Эффект поля. [27] |
На рис. 9.8 6 изображен изгиб зон в полупроводнике р-типа при той полярности внешней разности потенциалов V, которая показана на рис. 9.8 а. Изгиб зон приводит к изменению концентрации носителей тока в приповерхностном слое и, как следствие этого, к изменению его электропроводности. Явление изменения проводимости полупроводника под действием поперечного электрического поля называется эффектом поля. [28]
 |
Темновая высокочастотная С ( - зависимость ( /, зависимость ДС - - ( V ( 2 и ее начальный участок. [29] |
V) в области небольших истощающих изгибов зон ( - Uв Yso C 0), как правило, оказывается очень резкой и может быть аппроксимирована выражением ACY - - ехр ( - aV), гдеа е / / г7 40б - ( рис. 6.6, 3), в то время как в области больших истощений ( - Uв Yso - 2 Uв) эта зависимость ослабляется. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5