Cтраница 2
Зависимость ег и ТКе от состава твердых растворов CaTiO3 - LaAlOs, получен. [16] |
В отечественной и зарубежной технике для изготовления подложек радиотехнических схем применяют высокочастотные керамические материалы с заданным значением е, и малым tg6 в диапазоне сантиметровых волн. [17]
К числу новых материалов, используемых для изготовления подложек, относятся ситалл и фотоситалл. [18]
К числу новых материалов, применяемых для изготовления подложек, относятся ситалл, фотоситалл, глиноземная керамика, глазурованная стеклом, и синтетический сапфир. [19]
Контроль абразивной способности инструмента и сред, используемых при изготовлении подложек полупроводников, сводится на практике к контролю качества поверхности обрабатываемых пластин. Его выполняют периодически на выборочных образцах. По степени качества обработки поверхности делают вывод о состоянии износа абразивного инструмента или абразивной среды ( суспензии, пасты) и принимают меры к его исправлению или их замене. [20]
В табл. 12.1 приведены характеристики некоторых материалов, применяемых для изготовления подложек. [21]
Применяется для герметизации и электроизоляции преобразователей, а также для изготовления антифрикционных подложек. [22]
Простейший рисунок толстопленочной микросхемы и. [23] |
Этим требованиям удовлетворяет высокоглиноземистая керамика, которая в основном применяется для изготовления подложек толстопленочных микросхем. Подложки в большинстве случаев имеют размеры 10X10X1 мм и 16X10X1 мм. Допуски на размеры подложек весьма высокие 0 05 мм в целях обеспечения высокомеханизированного производства. [24]
Зарождение и развитие кинематографии неразрывно связано с возникновением и совершенствованием способов изготовления тонкой гибкой подложки для светочувствительного слоя. [25]
В ряде случаев в микроэлектронике могут быть использованы и другие материалы для изготовления подложек. Это может быть связано, например, с необходимостью встраивания микросхемы в посадочное место прибора сложной конфигурации, с применением бескорпусной конструкции микросхемы с выводами, вмонтированными непосредственно в подложку, для создания микросхем с повышенной мощностью рассеяния. Наибольший интерес представляет фотоситалл и монокристаллические подложки. [26]
Полиэфиры, из числа которых наибольшее распространение получил полиэтилентерефталат, применяются для изготовления подложек различной толщины, которая выбирается в зависимости от требуемой механической прочности или компактности магнитной ленты. Специальная обработка обеспечивает получение полиэтилентерефта-латной основы высокой прочности, способной выдерживать большие механические и тепловые нагрузки, что позволяет уменьшить толщину магнитных лент на такой основе до 15 мкм. Это, во-первых, позволяет значительно увеличить продолжительность записи - воспроизведения на одном рулоне, а, во-вторых, такая лента лучше прилегает к магнитным головкам. [27]
Привлекательная окраска представляет преимущество для использования полипропиленовых сеток в декоративных целях, а устойчивость к коррозии - при изготовлении подложек для фильтров. Из этого материала можно изготовлять корзины для фруктов и овощей, различные емкости, корзины для мусора. При изготовлении сетки из тонкого листа она получается очень гибкой и пригодной для конвейерных лент, гамаков, мебели, используемой на открытом воздухе. [28]
Шлифовку и полировку широко используют при первичной обработке пластин из кремния и других полупроводниковых материалов, применяемых при изготовлении подложек микросхем. [29]
При обработке или упаковке подложек иногда возникают требования к размерным допускам, которые не могут быть удовлетворены в процессе изготовления подложек. Для подложек из стекла обычными допусками являются 380 мкм для плоскостности и 125 мкм для толщин. [30]