Изготовление - подложка
Cтраница 4
Для получения основы магнитных лент, с высокими физико-химическими показателями может использоваться также полистирол. Кроме того, в США изготовлена предназначенная для изготовления подложки магнитных лент полиимидная пленка, стойкая к действию высоких температур. [46]
Бескорпусные микросхемы могут изготовляться на специализированных предприятиях или самим заводом-изготовителем больших гибридных интегральных микросхем на полупроводниковых подложках теми же методами и с той же топологией, что и кристаллы обычных корпусных полупроводниковых микросхем. Отли -, чие состоит в том, что после изготовления подложек, отбраковки негодных, скрайбирования и разделения на отдельные кристаллы годные из них приклеиваются на диэлектрическую подложку пленочной ИМС. Затем присоединяются внешние выводы бескорпусных микросхем к соответствующим контактным площадкам пленочной коммутационной платы. Резисторы выполняются в структурах пленочной части БГИС только в тех случаях, когда необходимо обеспечить высокую точность и малые температурные коэффициенты сопротивлений. Защита таких микросхем от воздействия агрессивных сред обеспечивается окисной пленкой, покрывающей поверхность полупроводниковой подложки, и защитным слоем, создаваемым для предохранения всей структуры БГИС. [47]
Недостатком спиральных катушек, наносимых на неферромагнитную подложку, является их малая индуктивность, редко достигающая 3 - 4 мкгн, при диаметре спирали 6 - 8 мм. Для увеличения индуктивности спиральных катушек предложено покрывать их тонкой ( толщиной порядка 1 мм) ферритовой пластинкой или использовать ферриты в качестве материала для изготовления подложки, на которую наносят токопроводящую спираль. [48]
Параметры и функции микросхемы определяются материалом, размерами и формой наносимых на подложку пленок. Напыление можно производить в один или несколько слоев. Для изготовления подложек применяется стекло, ситалл, керамика, кварц слюда, стеклоткань и другие материалы. Большое распространение получило стекло марки С41 - 1, С48 - 3 и др. Оно является термостойким диэлектриком, обеспечивающим высокую стабильность элементов схемы; поверхность стекла не требует специальной обработки, имеет хорошую сцепляемость с элементами по сравнению с другими материалами. В зависимости от микросхемы применяются подложки прямоугольной или квадратной формы с размерами 12x8; 12X12; 12x16; 12x20; 16x20; 24x30; 48x60 мм и др. Толщина подложек: 0 6; 1 0 и 1 6 мм. [49]
Выпиливание подложек из толстых кусков монокристаллов уносит в пыль до 90 % дорогого материала. Кроме того, естественные зеркальные поверхности дендритных подложек не требуют травления перед изготовлением микросхемы, как это неизбежно для подложек, вырезанных из массивного кристалла. Технология изготовления активных подложек для интегральных микросхем из дендритной ленты рациональна и обеспечивает необходимую автоматизацию при массовом изготовлении. [50]
Выращивание диэлектрических монокристаллов из расплава является передовой техологией, отдельные фрагменты которой применяют также для получения других классов диэлектрических материалов, используемых в микроэлектронике. Именно использование диэлектрических кристаллических материалов способствовало развитию таких новых перспективных направлений электронной техники, как оптоэлектроника, квантовая и функциональная электроника. Все известные кристаллические материалы, применяемые в настоящее время для изготовления подложек или планирующиеся к подобному использованию, получают по этой технологии. [51]
Лучшими и наиболее широко применяемыми в мировой практике являются боросиликатные и алюмосшшкатные сорта стекол. Применение щелочных стекол ограничено нестабильностью их свойств, поскольку при нагреве наблюдается их выщелачивание. Главным преимуществом стекол является возможность получения гладких поверхностей непосредственно при вытягивании из расплава, что резко удешевляет процесс изготовления подложек для гибридных схем. [52]
Полупроводниковые кристаллы, используемые в этих диодах, не претерпели каких-либо существенных конструктивных изменений, однако отсутствие герметичного корпуса требует особенно тщательной их защиты от воздействия окружающей среды. Для этого используют окисные или другие диэлектрические пленки, которые получают в процессе изготовления полупроводникового активного элемента в сочетании с последующим нанесением лаков или смол, служащих также и для защиты кристаллов от случайных механических воздействий, а также герметизацию всей схемы. Надо отметить также сложность монтажа диодов с круглым керамическим держателем в схему, так как трудно добиться полного совмещения полоски на держателе с полоской на подложке, в результате чего в передающем тракте возникают ступеньки, увеличивающие потери в схеме. В связи с тем, что теплопроводность материалов, применяемых для изготовления подложек микросхем, значительно ниже ( за исключением бериллиевой керамики), чем у металлов, мощность рассеяния у приборов с керамическим теплоотводом меньше, чем у диодов в корпусах с металлическими кристал-лодержателями. [53]
Это обусловлено тем, что в электронной промышленности при выполнении ряда ТП трудно, а иногда и невозможно, обеспечить требуемую точность формируемых параметров детали, если выполнением операций ТП управляет человек. Уже сейчас большое количество ТП управляется ЭВМ. Все это позволяет считать, что создание безлюдной технологии, в том числе для изготовления подложек и корпусов микросхем в электронной промышленности, будет происходить операжающими темпами. [54]
 |
Схема разделительных аппаратов. [55] |
Подложка должна быть мелкопористой, устойчивой к высоким давлениям, она не должна деформироваться и не должна менять своих свойств при длительной эксплуатации. Она служит механической опорой для мембраны и должна обеспечивать транспортирование проникающего компонента разделяемой системы от мембраны в отводящий канал без больших гидравлических и аэродинамических сопротивлений. При этом она не должна загрязнять фильтрат посторонними - веществами. Подложки под мембрану изготавливают из пористых металлов, керамики, пластмасс, бумаги, тканых и нетканых ( в том числе плетеных) материалов. Для изготовления подложек используют материалы, стойкие к гниению, коррозии и гидролитическим и микробиологическим воздействиям. [56]
Порошки уплотняют одновременным приложением высоких температур и давлений. Этот метод применяют, чтобы сформировать материалы, которые обычно спекаются с трудом или требуют очень высокой температуры спекания. В отличие от нормального спекания, упло / гнение происходит без роста зерен, но процесс этот медленный. Он требует больших времен нагрева или охлаждения как для образца, так и для формы, и соответствующего оборудования. Поэтому горячее прессование является относительно дорогим методом изготовления подложек. [57]
Кинетические исследования могут принести пользу и в других областях. С другой стороны, правильное применение термодинамических законов, например в металлургии, нередко в значительной мере способствует оптимизации промышленных процессов. К важным проблемам можно отнести также остановку некоторых реакций на нужной стадии, как это уже сделано в случае сульфа-тизирующего обжига, и проведение новых реакций с помощью искусственного зародышеобразования. Возможность контролировать текстуру вещества открывает широкие перспективы для изготовления подложек катализаторов или более эффективных катализаторов, а также для получения порошков, служащих исходным материалом в производстве специальных керамик и красок. Контролировать текстуру - фактически означает контролировать заро-дышеобразование и продвижение реакционной поверхности раздела. Уже сейчас ясно, что искусственное зародышеобразование позволит создать более тонкую текстуру. Катализаторы, полученные таким способом, будут иметь очень высокую активность. [58]
Это позволяет, в принципе, вычислять М для любой необходимой ориентации. Однако на практике многие константы, необходимые для таких расчетов, неизвестны или точность их определения недостаточно высока. Поэтому значение М необходимо определять экспериментально, измеряя выходные напряжения конкретных устройств. В работе [391] сообщается об измерениях величины М для различных материалов. В частности, для ниобата лития Y, Z-среза приводится относительно большое значение М 1 2 10 - 4 В X х м / Вт. Обычно для изготовления подложки выбирают именно этот материал с указанным срезом, поскольку, обладая сильной нелинейностью, он обеспечивает небольшое затухание ПАВ и позволяет уменьшить дифракционное расширение пучка. Далее будет показано, что чувствительность материала подложки к изменению температуры среды не приводит к значительным трудностям при проектировании конвольверов. Единственным из известных материалов, который обеспечивает большее значение М, является керамика PZT. [59]
Страницы: 1 2 3 4