Материал - база
Cтраница 3
Таким образом, распределенное сопротивление базы гбб которое прямо пропорционально удельному сопротивлению материала базы, будет увеличиваться с температурой, если при комнатной температуре удельное сопротивление было ниже 16 ом-см. [31]
 |
Три способа включения транзистора в электрическую цепь. [32] |
Поскольку коллекторный переход включен в запирающем направлении, сопротивление его значительно превышает сопротивление материала базы и падение напряжения на базе оказывается пренебрежимо малым. Практически полное отсутствие электрического поля в базе приводит к тому, что дырки, вошедшие в базу из эмиттера, далее перемещается лишь за счет диффузии, распространяясь из области с высокой концентрацией вблизи эмиттера в область с низкой концентрацией, к коллектору. [33]
Уравнения ( 1) не учитывают, в частности, падения напряжения на сопротивлениях материала базы, коллектора и эмиттера; из-за наличия указанных сопротивлений напряжения на лереходах отличаются от внешних межэлектродных напряжений. [34]
Фридман и др. рассмотрели кремниевый плоскостной диод с р - п-переходом, состоящий из материала базы n - типа с высоким удельным сопротивлением и сильно легированного материала р-типа с низким удельным сопротивлением. Они считают, что вопрос о соответствующем выражении для прямых характеристик при высокой плотности тока остается открытым. [35]
Отношение дырочного тока к электронному на p - n - переходе примерно равно отношению удельных проводимостей материалов базы и эмиттера, которые составляют p - n - переход, для любых напряжений смещения. [36]
Дело в том, что при плотностях тока уже порядка 5 - Ю2 а / см2 ( для материала базы с р3 ом-см) нельзя пренебрегать динамическим зарядом неосновных носителей, в данном случае дырок, проносящихся в слое ( пространственного заряда коллектора с постоянной скоростью - скоростью насыщения. Этот заряд, становясь сравнимым с зарядом ионизированных доноров, добавляется к нему и сам начинает участвовать в создании пространственного заряда, перехватывая часть или большинство силовых линий поля. [37]
Так, транзистор, у которого эмиттер изготовлен из полупроводника с более широкой запрещенной зоной, чем у материала базы, проявляет слабую - зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера и обладает малой емкостью эмиттерного перехода. [38]
Объемное сопротивление базы определяется геометрией транзистора ( конфигурацией базы в активной и пассивной ее частях), удельным сопротивлением материала базы и сопротивлением базового контакта. При замене распределенного сопротивления базовой области сосредоточенным вносится некоторая погрешность, так как в отдельных участках базы плотность тока и падение напряжения на них различны. [39]
В качестве примера процедуры, реализующей метод экспертной оценки, приведем метод, использованный в работе [15] при подготовке материалов базы рекомендуемых данных в классе химических реакций системы АВОГАДРО среди соединений атомов - N и О. [40]
Схема замещения содержит резистор Гб, который учитывает влияние объемного ( омического) сопротивления базы и зависит от конфигурации и материала базы. Влияние эмиттерного тока на коллекторный в схеме замещения учитывается генератором тока а / э; С, Ск - эквивалентные емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Сущность этого эффекта заключается в том, что толщина р - n - перехода не является постоянной величиной и в соответствии с выражениями (4.7), (4.8) зависит от приложенного к нему напряжения. При приложении к р - п-перехо-ду обратного напряжения его толщина увеличивается, а при приложении прямого напряжения уменьшается. Это явление называется эффектом модуляции толщины базы, или эффектом Эрли. [41]
Нам трудно найти функцию v ( l /) характеризующую распределение избыточных носителей по направлению у в пассивной части базы транзистора, так как материал базы является неоднородным и трудно записать граничное условие на поверхности транзистора. [42]
Для того чтобы сила тока на базу / 6 была достаточно малой, необходимо сделать толщину базы много меньшей длины, на которой электроны в материале базы аннигилируют. [43]
 |
Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [44] |
При больших прямых токах в базе полупроводникового диода изменяется концентрация как неосновных, так и основных носителей заряда, появляется электрическое поле, изменяются электрофизические параметры материала базы ( время жизни, подвижность или коэффициент диффузии, удельное сопротивление), изменяются условия как на выпрямляющем, так и на невыпрямляющем контактах. При больших токах необходимо также учитывать сопротивление базы диода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5