Материал - база
Cтраница 5
С возрастанием плотности тока в эмиттере ( где она является наибольшей из-за малых размеров эмиттера) начинает проявляться эффект оттеснения тока к краям эмиттерной области. Это вызывается омическим падением напряжения в материале базы вблизи эмиттерного р - - перехода, где плотность тока также велика, а объемное сопротивление значительно выше. В результате край эмиттера преобретает большее прямое смещение, чем середина площади эмиттера. Таким образом, инжекция носителей происходит преимущественно по периметру эмиттера и электрически активным становится только его край. [61]
Как отмечалось выше, для получения у-1 необходимо брать материал базы с малой концентрацией основных носителей. Поэтому расширение коллекторного р-га-перехода происходит в область базы и ширина базы уменьшается. [62]
 |
Увеличение прямого [ IMAGE ] Прямые характеристики SiC-диода.| Прямое напряжение SiC-выпрямителей ( три образца в зависимости от интегрального потока быстрых нейтронов. [63] |
Наибольший интерес представляет способность SiC-выпрямителей с исходной концентрацией носителей в материале базы - - 1 - 1018 см-3 работать при температурах до 500 С. [64]
 |
Схематическая конструкция переходов транзистора типа П210. [65] |
Характеристики сломанных переходов и вышедших из строя после воздействия отрицательной температуры абсолютно тождественны; во-вторых, вольт-амперные характеристики тех и других переходов одинаково зависят от температуры. Следовательно, причина выхода транзисторов из строя при охлаждении заключается в растрескивании материала базы. Очевидно, что растрескивание - происходит из-за различия термических коэффициентов расширения германия и электродных материалов. [66]
Шумы транзистора учтены на ней с помощью четырех шумовьгх источников; остальные элементы считаются нешумящими. Эквивалентный источник шумового напряжения шб (7.22) учитывает тепловые шумы, обусловленные омическим сопротивлением материала базы. Эквивалентные источники шумового тока гшдб (7.33) и г ШДк (7.34) учитывают дробовые шумы транзистора, вызванные флуктуациями постоянного тока эмиттера, а источник шумового тока гшн (7.44) - его низкочастотные шумы. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5