Материал - база
Cтраница 4
Уравнение (10.111) показывает, что ток носителей одного знака в базовую область транзистора равен скорости изменения заряда в области базы плюс заряд в области базы, деленный на время жизни носителей т в материале базы. [46]
 |
Картина прохождения тока базы ( а. распределение потенциала в базе фБ и плотности инжекционного тока эмиттера JQP при некотором напряжении ( / ЭБ между выводами эмиттера и базы ( б. [47] |
В результате изменения концентрации основных носителей, связанного с условием электрической нейтральности, с одной стороны, растет инжекция носителей из базы в эмиттер ( ток / Эя), а с другой - уменьшается удельное сопротивление материала базы. [48]
В результате изменения концентрации основных носителей, связанного с условием электрической нейтральности, с одной стороны, растет инжекция носителей из базы в эмиттер ( ток / эл), а с другой - уменьшается удельное сопротивление материала базы. [50]
 |
Картина прохождения тока базы ( а. распределение потенциала в базе ФБ и плотности инспекционного тока эмитте. [51] |
В результате изменения концентрации основных носителей, связанного с условием электрической нейтральности, с одной стороны, растет инжекция носителей из базы в эмиттер ( ток / эп), а с другой - уменьшается удельное сопротивление материала базы. [52]
Брежнева дают возможность коммунистам, всем советским людям глубже усвоить закономерности жизни нашего развитого, зрелого социалистического общества, актуальные вопросы внутренней и внешней политики КПСС и Советского государства, пред-станить во всей полноте титаническую деятельность партии по руководству великой работой - созданием материал ыю-техиической базы коммунизма, совершенствованием общественных отношений, формированием нового человека. [53]
Толщина р-г-перехода значительно больше, а высота потенциального барьера ниже, чем у р-гс-пере-хода. Материал базы большинства диодов обычно имеет высокое удельное сопротивление, и структура переходов таких диодов близка к p - f - типу. [54]
 |
Конструкции тензодиодов. [55] |
Например, пусть в данном материале AEg9 при определенном виде деформации растет, 1Р увеличивается, а цп уменьшается. В качестве материала базы необходимо выбрать тип полупроводника, в котором пбдвижность неосновных носителей уменьшается, что выполняется для ц в р-об-ласти. Поэтому тензочувствительность р - / г - перехода будет много больше, чем р - п, так как цр в - области увеличивается. [56]
Относящиеся к ним материалы базы знаний соответствуют подразделу 3.4 - 2 Формирование альтернативных вариантов элементов структуры системы раздела 3.4 книги. [57]
Относящиеся к ним материалы базы знаний соответствуют подразделу 3.4 - 2 Формирование альтернативных вариантов элементов структуры системы раздела ЗА книги. [58]
В дальнейшем будем предполагать, что баланс амплитуды всегда выполняется. Угол срок обусловлен сопротивлением материала базы триода, сопротивлением р-п перехода эмиттер - база, имеющим комплексный характер, а также конечным временем перехода неосновных носителей тока. [59]
 |
Типичные вольт-амперные характеристики интегрального транзистора. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5