Прямое смещение

Cтраница 2

При прямом смещении p - n - перехода его ширина уменьшается и барьерная емкость возрастает. Однако при этом барьерную емкость шунтирует малое сопротивление открытого р-п-перехода, поэтому ее влияние оказывается не - с пф значительным. [16]

Зависимость ширины 6 и дифференциальной барьерной емкости С перехода от величины внешнего напряжения (. [17]

При прямых смещениях исходные предположения, положенные в основу при выводе выражений ( 106) и ( 108), нельзя считать справедливыми, так как в этом случае через переход переносится значительный заряд подвижных носителей ( дырок и электронов), обусловливающих большой ток в прямом направлении. Этот заряд модулирует заряд неподвижных доноров и акцепторов, который при выводе соотношений ( 106) и ( 108) считался постоянным. Поэтому, строго говоря, соотношения ( 106) и ( 108) справедливы только для обратных смещений, когда через переход протекает пренебрежимо малый ток / у. По этой причине кривые на рис. 137 вблизи значения р0 не изображены. [18]

При прямом смещении / - и-перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные для базы носители заряда. Это изменение, вызванное приложенным напряжением, можно рассматривать как действие некоторой емкости. [19]

При прямом смещении анод положителен по отношению к катоду. В обратносме-щенном переходе полярность напряжения между анодом и катодом отрицательна. [20]

Качественный вид вольт-амперной ха-ракт ристики l ( V и вольт-фарадной характеристики C ( Va для барьера Шоттки. [21]

При прямом смещении ( 1 / а0 - минус па полупроводнике n - типа) ток создается в основном термоэлектронами, идущими из полупроводника в металл. [22]

Устройство полупроводниковых диодов различных типов.| Типичный вид вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов ( а и обратной ветви стабилитрона ( б. [23]

При прямом смещении ( рис. 5 - 8, б) через р-п переход могут проходить очень большие токи ( в зависимости от площади перехода сотни миллиампер - десятки ампер) при незначительных падениях напряжения ( менее 1 в), ибо исходный потенциальный барьер невысок и для его снижения достаточны весьма низкие напряжения. [24]

Структура транзистора р-п - р типа ( а и п-р - п типа ( б. [25]

При прямом смещении эмиттерный переход инжектирует неосновные носители - дырки-в область базы. В базе дырки диффундируют от эмиттерной области с меньшей концентрацией к коллекторной - с большей концентрацией. [26]

При прямом смещении ( V 0) толщина слоя уменьшается по сравнению с толщиной при отсутствии батареи, а при обратном смещении ( V 0) увеличивается. [27]

Оценка параметров эффекта du / dt при положительном ( а.| Зависимость емкости центрального перехода от напряжения.| Шунтирующая RC-цепь для снижения влияния эффекта du / dt. [28]

При прямом смещении на тиристоре [ t / a ( 0) 0 ] ( рис. 3.36, а) емкостный ток уменьшается вследствие снижения значения емкости центрального перехода С. [29]

При прямом смещении напряженность поля в переходе уменьшается, условие равновесия диффузионного и дрейфового токов нарушается - диффузия электронов из n - области и встречная диффузия дырок преобладают по сравнению с их дрейфовым движением. Вследствие диффузии увеличивается концентрация неосновных носителей в нейтральных областях, граничащих с переходом. Этот процесс называется инжекцией неосновных носителей. Концентрации избыточных электронов Дпр в р-области и дырок Арп в n - области у границ перехода получим, предполагая, что эти величины малы по сравнению с равновесными значениями основных носителей в соответствующих областях. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5