Прямое смещение

Cтраница 5

В режиме прямого смещения последовательно включенный диод обладает очень низким сопротивлением, по своим характеристикам приближается к короткозамкну-той цепи. В этом случае волна с малыми потерями ( Lu мал) проходит к выходу устройства. [61]

Схематическое изображение р - n - перехода. черные кружки - электроны, светлые - дырки.| Зонная диаграмма ( а и концентрации электронов и дырок ( б в области р - п-перехода. с - дно гоны проводимости, ft, - вершина валентной зоны. / F - уровень Ферми. [62]

При увеличении прямого смещения зарядная емкость растет. [63]

Увеличение тока прямого смещения гпр, предшествовавшего переключению, ведет - к возрастанию значений tlt tz, Qn и z u для всех типов диодов, хотя степень этого возрастания неодинакова. [64]

Для получения нужного прямого смещения во входной цепи транзистора Т2 его эмиттер присоединен к положительному выводу источника. Следовательно, потенциал коллектора транзистора Tj и базы Т2 отрицателен относительно положительного вывода источника. Таким образом, обеспечивается требуемое обратное смещение коллекторного перехода р-п - р-транзистора. [65]

Допускается применение постоянного прямого смещения не более 0 5 В. [66]

Страницы: 1 2 3 4 5