Прямое смещение
Cтраница 3
При прямом смещении гДВф уменьшается с ростом тока. Для 7 300 К и / 1мА из (2.16) получаем гДИф 26Ом, а для / 10 мА - гдиф 2 6 Ом. При прямом токе / / о дифференциальное сопротивление линейно возрастает с повышением температуры. [31]
При прямом смещении потенциальный барьер запирающего слоя уменьшается. Основные носители заряда пересекают ЭДП и попадают в области, где они являются неосновными и неравномерными. Этот процесс называют инжекцией неосновных носителей. Инжектированные носители заряда диффундируют вглубь полупроводника, рекомбинируя с основными носителями заряда, приходящими из внешней цепи. Это и приводит к появлению электрического тока, текущего через ЭДП. Однако ток через ЭДП устанавливается не мгновенно. Электронно-дырочный переход обладает инерционностью, которая обусловлена процессами рекомбинации и характеризуется временем жизни т неосновных носителей. [32]
 |
Распределение концентрации плазмы ( а и напряженности поля ( б при переключении диода на дрейфовой стадии накопления. [33] |
Лри прямом смещении и высокой концентрации плазмы в базе сопротивление диода можно считать чисто активным независимо от величины СВЧ-сигнала, но при малой либо нулевой концентрации приходится учитывать, что при непрерывном воздействии СВЧ-сигнала у р - гс-переходов возникает избыточная концентрация неравновесных носителей, осциллирующая около искрой постоянной составляющей. Поведение этой составляющей аналогично поведению избыточных носителей, инжектированных в базу при прямом смещении. Это означает, что избыточная концентрация распространяется путем диффузии либо биполярного дрейфа на всю базу, повышая ее проводимость; поэтому при достаточной мощности СВЧ-сигнала проводимость диода увеличивается даже без воздействия управляющего смещения. [34]
 |
Приложение обратного ( а и прямого ( б напряжений к / 7-я-переходу. [35] |
При прямом смещении / 7-л-перехода появляется ( диффузионный) ток, вызванный диффузией основных носителей, преодолевающих потенциальный барьер. [36]
При прямом смещении р-и-перехода его идеализированная ВАХ, согласно (2.5), представляется однородной экспонентой. Однако реальная характеристика имеет несколько более сложную форму: состоит из нескольких участков с разными наклонами. Отличие реальной ВАХ от идеализированной определяется двумя основными причинами. [37]
 |
Различные типы обратных участков вольт-амперных характеристик р - n - переходов ( изображены схематично. [38] |
При постоянном прямом смещении избыточная концентрация А / га создается у плоскости а в области базы. [39]
При постоянном прямом смещении избыточная концентрация Д / га создается у плоскости а в области базы. [40]
При прямом смещении V электронная область заряжена отрицательно относительно дырочной. [41]
 |
Зависимость зарядной емкости p - rt - перехода от величины обратного напряжения. [42] |
При прямом смещении р-я-пере-хода его ширина уменьшается и зарядная емкость возрастает. [43]
При больших прямых смещениях ( U-Uj) нарушаются допущения, принятые при выводе этой формулы ( предположение о полном обеднении ОПЗ), и эта формула непригодна. Полная емкость ДШ должна учитывать и емкость конструкции корпуса диода, которая может быть существенной для маломощных СВЧ-диодов. В конструкциях с охранным р-п переходом вклад барьерной емкости р-п перехода может быть соизмерим с емкостью барьера Шоттки. [44]
При очень высоких прямых смещениях, больших чем Кдиф, могут возникать два предельных случая. В одном из этих случаев переход достаточно узок для того, чтобы рекомбинация была относительно небольшой, и, следовательно, инжектированные концентрации носителей заряда будут везде преобладающими. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5